FDPF20N50T，场效应管(MOSFET)安森美原装供货

FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV4276CDSADJR4G
NCP3335ADM180R2G
NCP3335ADM250R2G
NCV8730ASN330T1G
NCV8730ASN330T1G
NCV59749MNADJTBG
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FCH085N80-F155功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET II， 800 V， 46 A， 85 mΩ， TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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MC7905CTG系列简述：
MC7900 固定输出负线性稳压器旨在作为广受欢迎的 MC7800 系列器件的补充。该负电压稳压器提供与 MC7800 器件相同的七种电压选项。此外，负极 MC7900 系列还提供 MECL 系统中常用的一个额外电压选项。
这些线性稳压器提供 -5.0 V 至 -24 V 的固定输出电压选项，采用电流限制、热关断和安全区域补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMTS0D7N06CLTXG
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS6H801NWFT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
NVMFS5C420NWFT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS006N12MCT1G
NVMFS6H800NWFT1G
NXH35C120L2C2S1G
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NOIP1SE0480A-STI1
NCV8187AMLE330TCG
FFSH20120ADN-F155
FFSH20120ADN-F155
FFSH40120ADN-F155
FFSH15120ADN-F155
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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NCV8405ASTT1G简述：
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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NCV8450ASTT3G简述：
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件，典型 RDSOn 为 1 Ω，内部电流限制为 0.8 A（典型值）。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5045S3ST-F085C
NVMFS5C612NLWFAFT1G
FCPF250N65S3L1-F154
NVMFS5C410NWFAFT3G
FCH165N65S3R0-F155
NVMFS5C404NWFAFT1G
NB7NPQ1404E2MMUTWG
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述：
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件，能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行，如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用，低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行，适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s，对于上述高速传输，推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的，支持很多附加功能，如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间，以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR
AR0230CSSC12SUEA0-DR-E
NCH-RSL10-101Q48-ABG
NCH-RSL10-101S51-ACG
MICROFC-60035-SMT-TR
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